| 特大功率晶闸管结终端技术对阻断电压的影响 |
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| 引用本文： | 陈黄鹂,王红梅,程炯,张刚琦.特大功率晶闸管结终端技术对阻断电压的影响[J].电力电子技术,2022,56(3):130-132. |
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| 作者姓名： | 陈黄鹂 王红梅 程炯 张刚琦 |
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| 作者单位： | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司,陕西 西安 710077,国网四川省电力公司检修公司,四川 成都 610041 |
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| 基金项目： | 国家电网有限公司总部科技项目(521999200020)~~； |
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| 摘 要： | 在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结构的特大功率晶闸管,其结终端技术的负斜角角度和造型深度对结终端空间电荷区的扩展和电场分布有重要影响,从而影响阻断电压。只有负斜角角度和造型深度都在优化值时,才能获得兼具高可靠性和高稳定性的晶闸管最高阻断电压。
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| 关 键 词： | 特大功率晶闸管 结终端技术 阻断电压 |
Influence of Junction Termination Technology of Ultra-high Power Thyristor on Blocking Voltage |
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| CHEN Huang-li,WANG Hong-mei,CHENG Jiong,ZHANG Gang-qi.Influence of Junction Termination Technology of Ultra-high Power Thyristor on Blocking Voltage[J].Power Electronics,2022,56(3):130-132. |
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| Authors: | CHEN Huang-li WANG Hong-mei CHENG Jiong ZHANG Gang-qi |
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