DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响 |
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引用本文: | 石梦,阎海涛,毛海央,韩宝东,孙武,夏光美.DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响[J].半导体光电,2019,40(1):59-63. |
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作者姓名: | 石梦 阎海涛 毛海央 韩宝东 孙武 夏光美 |
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作者单位: | 中国科学院大学微电子学院,北京,100029;中芯国际集成电路制造有限公司,北京,100176 |
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摘 要: | 短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制造中一道至关重要的制程。由于P型MOS管和N型MOS管的金属栅极填充材料不同,制造工艺中要先完成一种MOS管金属栅极的制作再进行另一种MOS管金属栅极的制作,DPRM后N型MOS管和P型MOS管交界处的结构形貌会直接影响金属栅极的填充,进而影响器件性能。在电子回旋共振刻蚀等离子体源条件下,探究DPRM工艺中过刻蚀过程的关键参数对NMOS管和PMOS管交界处结构形貌的影响,进而总结出减弱N/P型MOS管交界处侧向凹陷程度的工艺条件。
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关 键 词: | 过刻蚀 高k/金属栅 虚拟栅去除 电子回旋共振 侧向凹陷 |
收稿时间: | 2018/7/10 0:00:00 |
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