| 一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器 |
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| 引用本文： | 徐余龙,施雨,李庄,陶小辉,曹锐,桑磊.一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器[J].微电子学,2019,49(1):63-67. |
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| 作者姓名： | 徐余龙 施雨 李庄 陶小辉 曹锐 桑磊 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009,中国电子科技集团 第三十八研究所, 合肥 230088 ;孔径阵列与空间探测安徽省重点实验室, 合肥 230088,中国电子科技集团 第三十八研究所, 合肥 230088 ;孔径阵列与空间探测安徽省重点实验室, 合肥 230088,中国电子科技集团 第三十八研究所, 合肥 230088 ;孔径阵列与空间探测安徽省重点实验室, 合肥 230088,合肥工业大学 光电技术研究院, 合肥 230009 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500) |
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| 摘 要： | 基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3 dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿真结果表明,在90~100 GHz频段内,输入与输出的匹配良好,输入反射系数S11小于-17 dB,输出反射系数S22小于-14 dB。在94 GHz频率处,小信号增益为6.1 dB,输出1 dB压缩点功率为10.2 dBm。芯片尺寸为1.22 mm × 1.42 mm。该功率放大器适用于通信、雷达、成像等领域。
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| 关 键 词： | 平衡式功率放大器 变压器匹配网络 W波段 SiGe BiCMOS 耦合器 |
| 收稿时间： | 2018/5/13 0:00:00 |
A W-Band SiGe BiCMOS Balanced Power Amplifier |
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| XU Yulong,SHI Yu,LI Zhuang,TAO Xiaohui,CAO Rui and SANG Lei.A W-Band SiGe BiCMOS Balanced Power Amplifier[J].Microelectronics,2019,49(1):63-67. |
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| Authors: | XU Yulong SHI Yu LI Zhuang TAO Xiaohui CAO Rui and SANG Lei |
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| Affiliation: | Acad.of Photoelec.Technol., Hefei Univ.of Technol., Hefei 230009, P.R.China,Acad.of Photoelec.Technol., Hefei Univ.of Technol., Hefei 230009, P.R.China,No.38 Research Institute, China Electronics Technology Group Corp., Hefei 230088, P.R.China;Key Laboratory of Aperture Array and Space Application, Hefei 230088, P.R.China,No.38 Research Institute, China Electronics Technology Group Corp., Hefei 230088, P.R.China;Key Laboratory of Aperture Array and Space Application, Hefei 230088, P.R.China,No.38 Research Institute, China Electronics Technology Group Corp., Hefei 230088, P.R.China;Key Laboratory of Aperture Array and Space Application, Hefei 230088, P.R.China and Acad.of Photoelec.Technol., Hefei Univ.of Technol., Hefei 230009, P.R.China |
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