| 千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究 |
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| 引用本文： | 黄乐旭,应贤炜,梅海,丁晓明,杨建,王佃利.千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究[J].现代雷达,2019,41(9):76-82. |
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| 作者姓名： | 黄乐旭 应贤炜 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。
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| 关 键 词： | 硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管 |
A Study on Key Technology of Kilowatt Si LDMOS Microwave Power Transistor |
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| HUANG Lexu,YING Xianwei,MEI Hai,DING Xiaoming,YANG Jian and WANG Dianli.A Study on Key Technology of Kilowatt Si LDMOS Microwave Power Transistor[J].Modern Radar,2019,41(9):76-82. |
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| Authors: | HUANG Lexu YING Xianwei MEI Hai DING Xiaoming YANG Jian and WANG Dianli |
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| Affiliation: | Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing Electronic Devices Institute and Nanjing Electronic Devices Institute |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si lateral diffusion metal-oxide-semiconductor kilowatt microwave power transistor |
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