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一种0.13 μm SOI CMOS 2.4/5.5 GHz双频段LNA
引用本文:凌园园,卢煜旻.一种0.13 μm SOI CMOS 2.4/5.5 GHz双频段LNA[J].微电子学,2019,49(1):55-62.
作者姓名:凌园园  卢煜旻
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 201800;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 201800
基金项目:中组部青年千人计划资助项目(Y5SQRB1001)
摘    要:基于Tower Jazz 0.13 μm SOI CMOS工艺,提出了一种应用于无线局域网的2.4/5.5 GHz双频段低噪声放大器(LNA)。该双频段LNA基于带源极电感的共源共栅结构,在放大管栅极与共源共栅管漏极之间增加负反馈电容,以改善5.5 GHz频段的阻抗匹配。工作频段的切换通过开关控制的电感电容匹配网络实现。SOI射频开关通过增加MOS管尺寸来减小导通时的插入损耗,并且保持较低的关断电容,使开关的引入对LNA性能的影响最小化。Cadence后仿真结果表明,在2.4 GHz频段范围内,S21为10.3~10.7 dB,NF为2.1 ~2.2 dB,IIP3为5 dBm;在5.5 GHz频段范围内,S21为9.7 ~11.8 dB,NF为2.4~2.9 dB,IIP3为14 dBm。

关 键 词:低噪声放大器    SOI  CMOS工艺    可重配置    共源共栅结构    射频开关
收稿时间:2018/3/15 0:00:00
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