碳化硅MOSFET并联特性分析 |
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引用本文: | 江添洋.碳化硅MOSFET并联特性分析[J].电力电子技术,2022(5):137-140. |
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作者姓名: | 江添洋 |
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作者单位: | 广东美的制冷设备有限公司中央研究院电力电子技术研究所 |
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摘 要: | 由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接。然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过程中实现均流也成为更大的挑战。器件并联工作中,由于不均流造成的高电流过冲和高损耗可能造成器件损坏。此处介绍了一种自建器件模型,并基于该模型进行器件并联的仿真。互感在电路分析中,通常会被忽略,通过实验和仿真的对比,论证了互感会对均流效果产生重要影响。
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关 键 词: | 金属氧化物半导体场效应晶体管 器件模型 并联 互感 |
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