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| FX3290BiMOS双电压比较器的研制 | |
| 引用本文： | 杨成刚.FX3290BiMOS双电压比较器的研制[J].半导体技术,1997(1):38-40,F003. |
| 作者姓名： | 杨成刚 |
| 作者单位： | 四四三三厂 |
| 摘 要： | 本文结合ＦＸ３２９０ＢｉＭＯＳ双电压比较器的电原理分析，论述采用同心式而已技巧对失调和温漂的影响，并采用自对准离子注入ＢｉＭＯＳ工艺来提高器件 工作电压，进一步降低失调和温漂。在外型封装与国外同类产品相同的条件下，达到了设计要求，部分指标已接近甚至超过国外同类产品水平。 |
| 关 键 词： | 恒流源 自对准离子注入 双电压比较器 |
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