|
|||||
|
|
| Ag离子注入的立方形ZnS强兰色发射波段和P型传导 | |
| 引用本文： | T. Yokogawa,刘维芳.Ag离子注入的立方形ZnS强兰色发射波段和P型传导[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | T. Yokogawa 刘维芳 |
| 作者单位： | 京都大学工业学院 |
| 摘 要： | 业已确认结晶的ZnS是制作发光二极管(LED)的有希望的材料。近来已成功地利用碘输运法存温度低到850℃时制成立方形单晶(C-ZnS:I)。最近我们发现生长的晶体和高电导n型晶体两者在室温以上和2.65eV附近都呈现出强兰光发射带。它表明这样的立方体是制作MIS或pn结结构ZnS兰色LED和可见光激光二极管的理想材料。因此需要寻找利用离子注入存C-ZnS:I中产生P型传导的必要条件。图1示出了在10~(14)/cm~2额定剂量下Ag离子注入和经S蒸汽压(在10~(15)/cm~2)下退火 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |