| 曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究 |
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| 引用本文： | 陈吉安,茅昕辉,赵晓昱,丁文,曹莹,周勇.曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究[J].功能材料与器件学报,2005,11(4):419-422. |
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| 作者姓名： | 陈吉安 茅昕辉 赵晓昱 丁文 曹莹 周勇 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微纳科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030;上海工程技术大学,汽车工程学院,上海,200336 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（No.50275096）;上海市纳米专项资助（No.0215nm104;0352nm014）. |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FesiB／cu／FesiB三层膜结构，在1—40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明：高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加，在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时，应力阻抗效应达到-18．3％，在力敏传感器方面具有广阔的应用前景。
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| 关 键 词： | 应力阻抗 FeSiB/Cu/FeSiB三层膜 磁控溅射 曲折状 |
| 文章编号： | 1007-4252（2005）04-0419-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-07 |
| 修稿时间： | 2005-05-12 |
Stress-impedance effects of FeSiB/Cu/FeSiB trilayers with a meander structure |
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| CHEN Ji-an,MAO Xin-hui,ZHAO Xiao-yu,DING Wen,CAO Ying,ZHOU Yong.Stress-impedance effects of FeSiB/Cu/FeSiB trilayers with a meander structure[J].Journal of Functional Materials and Devices,2005,11(4):419-422. |
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| Authors: | CHEN Ji-an MAO Xin-hui ZHAO Xiao-yu DING Wen CAO Ying ZHOU Yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | stress-impedance FeSiB/Cu/FeSiB trilayers magnetron sputtering meander structure |
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