| 自蔓处视温合成氮化硅的生长机理 |
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| 引用本文： | 王华彬,张学忠,等.自蔓处视温合成氮化硅的生长机理[J].材料科学与工艺,2001,9(1):64-67. |
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| 作者姓名： | 王华彬 张学忠 |
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| 作者单位： | [1]哈尔滨工业大学复合材料中心，黑龙江哈尔滨150001 [2]哈尔滨工业大学复合材料中心，黑龙 |
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| 摘 要： | 通过放气法观察到短棒状β-SiN4以气－液－固（VLS）机制生长的中间形太，以气－液－固机制生长的β-SiN4所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质，而非反应物中的金属杂质，或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等，在生长过程中，液相不断析出β-SiN4，氧需在液－固中重新分配，使得液相中的氧逐渐减少，并得不到补偿，所以β-SiN4长成短棒状，增加反应中的氧含量，可以得到高长径比的β-SiN4，氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中β-SiN4的α相与β相的比例。
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| 关 键 词： | 自蔓延高温合成 氮化硅 生长机理 结构陶瓷 陶瓷粉末 |
| 文章编号： | 1005-0299(2001)01-0064-04 |
| 修稿时间： | 2000年11月19日 |
The growth mechanism of self-propagating high-temperature synthesized Si_3N_4 |
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| WANG Hua-bin,ZHANG Xue-zhong,HAN Jie-cai,HE Xiao-dong,DU Shan-yi.The growth mechanism of self-propagating high-temperature synthesized Si_3N_4[J].Materials Science and Technology,2001,9(1):64-67. |
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| Authors: | WANG Hua-bin ZHANG Xue-zhong HAN Jie-cai HE Xiao-dong DU Shan-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon nitride self-propagating high-temperature synthesis growth mechanism |
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