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| 碳化硅基MOSFETs器件研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.国家国防科技工业局协作配套中心;2.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 |
| 摘 要： | 基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的公司及其产品性能。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阻断电压 通态电阻 |
Progress in SiC based MOSFETs |
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| Keywords: | |