| 掺砷多晶硅发射极RCA晶体管 |
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| 引用本文： | 张利春,叶红飞,金雪林,高玉芝,宁宝俊.掺砷多晶硅发射极RCA晶体管[J].半导体学报,2000,21(7):697-704. |
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| 作者姓名： | 张利春 叶红飞 金雪林 高玉芝 宁宝俊 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所!北京100871 |
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| 摘 要： | 研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55—+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.
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| 关 键 词： | RCA晶体管 多晶硅发射极 掺砷 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)07-0697-08 |
| 修稿时间： | 1999-04-23 |
Arsenic-Doped Poly-Silicon Emitter RCA Transistor |
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| ZHANG Li\|chun,YE Hong\|fei,JIN Xue\|lin,GAO Yu\|zhi and NING Bao\|jun.Arsenic-Doped Poly-Silicon Emitter RCA Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(7):697-704. |
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| Authors: | ZHANG Li\|chun YE Hong\|fei JIN Xue\|lin GAO Yu\|zhi and NING Bao\|jun |
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| Affiliation: | ZHANG Li-chun
,YE Hong-fei
,JIN aue-lin
,GAO Yu-zhi
,NING Bao-jun
(Institute of Microelectronics, Peking Uniuersity, Beijing 100871, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RCA transistor poly\|silicon emitter arsenic doped |
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