| 太空生长掺Te—GaAs单晶的结构缺陷观测 |
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| 引用本文： | 蒋四南 范缇文. 太空生长掺Te—GaAs单晶的结构缺陷观测[J]. 半导体学报, 1989, 10(1): 76-84 |
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| 作者姓名： | 蒋四南 范缇文 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京(蒋四南，范缇文，李成基)，中国科学院半导体研究所 北京(林兰英) |
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| 摘 要： | 本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中心部位,存在一个大约5μm宽的高完整区.远离中心部位,空间材料的完整性降低,出现了大量位错并伴有微缺陷.实验结果表明:在微重力条件下生长化合物半导体GaAs对在其中的杂质均匀分布有利.在太生长时出现的大量位错和微缺陷,并不是在生长时由于失重所致,而是在太空生长时温度失控所引起的.
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| 关 键 词： | GaAs 太空生长 位错 微缺陷 |
Observation of Structure Defects in Doped-Te GaAs Single Crystal Grown in Space |
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| Jiang Sinan/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingFan Tiwen/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingLi Chengji/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingLn Lanying/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing. Observation of Structure Defects in Doped-Te GaAs Single Crystal Grown in Space[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(1): 76-84 |
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| Authors: | Jiang Sinan/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingFan Tiwen/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingLi Chengji/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingLn Lanying/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs Grown crystal in pace Disloction Microdefect |
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