| TiN/n-GaAs肖特基势垒特性 |
| |
| 引用本文： | 张利春,高玉芝. TiN/n-GaAs肖特基势垒特性[J]. 半导体学报, 1989, 10(4): 241-248 |
| |
| 作者姓名： | 张利春 高玉芝 |
| |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所(张利春)，北京大学微电子学研究所(高玉芝) |
| |
| 摘 要： | 本文用俄歇能谱(AES)、电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)电学测量等方法,研究了反应溅射制备的TiN/n-GaAs肖特基势垒特性.经800℃高温热退火后,TiN/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.80cV,理想因子n为1.07.同时还观察到许多有意义的结果:即随着退火温度的升高(从500℃到800℃),TiN/n-GaAs肖特基二极管的势垒高度增大,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大.我们认为这可能与溅射过程中GaAs衬底中掺氮有关,并用Shannon模型(即金属/P-GaAs/n-GaAs结构)解释了以上结果.研究结果表明,在自对准GaAs MESFET工艺中,TiN是一种很有希望的栅材料.
|
| 关 键 词： | 氮化钛 砷化镓 肖特基势垒 MESFET |
Characteristics of TiN/n GaAs Schottky Barriers |
| |
| Zhang Lichun/Institute of Microelectronics,Peking University,BeijingGao Yuzhi/Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing. Characteristics of TiN/n GaAs Schottky Barriers[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1989, 10(4): 241-248 |
| |
| Authors: | Zhang Lichun/Institute of Microelectronics Peking University BeijingGao Yuzhi/Institute of Microelectronics Peking University Beijing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | TiN GaAs Schottky barrier |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
