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| 硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究 | |
| 引用本文： | 姚秀琛,王雷,陈开茅,秦国刚.硅中E_c-O.18eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究[J].半导体学报,1989,10(5):395-398. |
| 作者姓名： | 姚秀琛 王雷 陈开茅 秦国刚 |
| 摘 要： | 首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开. |
| 关 键 词： | 硅 深中心 铜 |
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