| 锁相环电荷泵稳定性研究 |
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| 引用本文： | 吴永俊,叶青. 锁相环电荷泵稳定性研究[J]. 半导体技术, 2008, 33(6): 510-513 |
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| 作者姓名： | 吴永俊 叶青 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029;中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 建立了锁相环中电荷泵模型,对比无补偿和Cr补偿下电路的稳定裕度,提出了一种新的改善电荷泵稳定性的RcCc补偿方法,应用这种方法设计了一款高摆幅、低电流失配的电荷泵.电路采用HJTC 0.18 μm CMOS工艺实现,应用于3.5 GHz的锁相环频率综合器,电源电压1.8 V,输出电流100μ,输出电压0.4～1.4 V时,后仿的电流失配在1%以下,相位裕度达74°,版图面积130μm×80μm.
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| 关 键 词： | 电荷泵 电流失配 稳定性补偿 |
Research on Stability of PLL Charge Pump |
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| Wu Yong jun,Ye Qing. Research on Stability of PLL Charge Pump[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(6): 510-513 |
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| Authors: | Wu Yong jun Ye Qing |
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| Affiliation: | Wu Yong jun,Ye Qing (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | charge pump current mismatch compensation of stability |
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