|
|||||
|
|
| 蓝宝石上生长的薄膜硅晶体管 | |
| 引用本文： | G.W.Mueller,P.H.Robinson,王积祥,武家扬.蓝宝石上生长的薄膜硅晶体管[J].计算机研究与发展,1965(12). |
| 作者姓名： | G.W.Mueller P.H.Robinson 王积祥 武家扬 |
| 摘 要： | 发现了一种在单晶蓝宝石上利用高温分解 SiH_4来淀积硅薄膜的方法。薄膜的电子衍射和劳埃反射检验都示出了单晶花样。硅薄膜的霍尔迁移率在空穴密度10~(17)/厘米~3时为135厘米~2/伏特·秒。制成了电流5毫安时具有1000微姆欧跨导值的绝缘栅场效应晶体管,其尺寸为:源到漏的间距为10微米,作用区宽度为120微米。这跨导值可与在块状硅上制成的同样元件相比较,因此这种晶体管是极有希望的薄膜硅器件。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |