| Mg在Si(100)-2?1表面的化学吸附 |
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| 作者姓名： | 张芳 李伟 危书义 |
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| 作者单位： | College of Electronic & Information Engineering, Pingdingshan University, Pingdingshan 467000, China;Department of Mathematics and Physics, Henan University of Urban Construction, Pingdingshan 467036, China;College of Physics and Information Engineering, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China |
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| 摘 要： | 用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Mg原子在Si(100)-(2×1)表面的化学吸附。计算了Mg 原子在不同位置时吸附体系的能量。结果表明,Mg原子在吸附面上方的cave位吸附最稳定,同时在吸附面上方还存在一个亚稳位置shallow位,这与实验结果一致。同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究。
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| 关 键 词： | 硅 化学吸附 超级原胞 镁 低指数单晶面 |
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