电子能谱法研究CuBe(O)二次电子发射体

利用PHI-550型多功能电子谱仪研究了Cu-Be合金活化后的CuBe(O)样品。结果表明:(1)Cu-Be合金活化后,表面生成较为纯净的BeO层。氧化使得ESCA Be 1 S峰由111.6eV(电子结合能)移至113.6eV,使得Be KLL Auger峰由104eV(电子动能)移至约93eV;(2)Cu、Be组分在活化过程中均通过初始界面向外迁移,但二者机制有别;(3)BeO膜在电子束轰击下有解离发生。此外,利用不同能量电子的逃逸深度差,测算出800℃活化样品的BeO膜厚度约为24(?)。