| 金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 夏冬林,杨晟,徐慢,赵修建.金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜[J].感光科学与光化学,2006,24(2):87-92. |
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| 作者姓名： | 夏冬林 杨晟 徐慢 赵修建 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北武汉430070 |
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| 基金项目： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室开放基金（SYSJJ2005-12）. |
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| 摘 要： | 以氢气稀释的硅烷（SiH4）和硼烷（B2H6）为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.
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| 关 键 词： | 金属铝诱导晶化 快速退火 a-Si薄膜 poly-Si薄膜 |
| 文章编号： | 1000-3231（2006）02-0087-06 |
| 收稿时间： | 2005-09-16 |
| 修稿时间： | 2005-12-05 |
Preparation of Polycrystalline Silicon Films by Aluminum-Induced Crystallization at Low Temperature |
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| XIA Dong-lin,YANG Sheng,XU Man,ZHAO Xiu-jian.Preparation of Polycrystalline Silicon Films by Aluminum-Induced Crystallization at Low Temperature[J].Photographic Science and Photochemistry,2006,24(2):87-92. |
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| Authors: | XIA Dong-lin YANG Sheng XU Man ZHAO Xiu-jian |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Silicate Materials Science and Engineering of Ministry of Education, Wuhan University of Technology, Wuhan 430074, Hubei , P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum-induced crystallization rapid thermal annealing polycrystalline silicon thinfilms amorphous silicon thin films |
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