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GaN1-x Px三元合金的红外谱
引用本文:陈敦军,沈波,许福军,陶亚奇,赵红,张荣,郑有炓. GaN1-x Px三元合金的红外谱[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1)
作者姓名:陈敦军  沈波  许福军  陶亚奇  赵红  张荣  郑有炓
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家自然科学基金 , 国家自然科学基金 , 江苏省创新人才基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目
摘    要:对GaN1-xPx三元合金进行了红外谱的测试和拟合.分析结果表明在GaN1-xPx三元合金中存在两个彼此竞争的机制制约着载流子浓度的变化.一个是来自等电子陷阱的影响,它将减少三元合金中载流子的浓度;另一个来自缺陷的影响,它将增加三元合金中载流子的浓度.对合金介电函数的倒数的虚部进行了计算,其结果显示,随着合金中P组分比的增加,纵向光学声子-等离激元(LPP)耦合模式向高频方向移动,同时LPP模式线宽逐渐增宽,说明随着合金中P组分比的增加,LPP模式的耦合作用增加,阻尼增强.

关 键 词:GaN1-x-Px三元合金  红外反射  纵向光学声子-等离激元  晶格振动  三元合金  红外谱  Ternary Alloy  Spectrum  阻尼增强  耦合作用  线宽  耦合模式  移动  方向  等离激元  纵向光学声子  组分比  显示  计算  介电函数  缺陷  载流子浓度  影响  电子陷阱

Infrared Spectrum of GaN1-xPx Ternary Alloy
Chen Dunjun,Shen Bo,Xu Fujun,Tao Yaqi,Zhao Hong,Zhang Rong,Zheng Youdou. Infrared Spectrum of GaN1-xPx Ternary Alloy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1)
Authors:Chen Dunjun  Shen Bo  Xu Fujun  Tao Yaqi  Zhao Hong  Zhang Rong  Zheng Youdou
Abstract:
Keywords:
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