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| ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究 | |
| 作者姓名： | 刘玉岭 蔡冰祁 刘立威 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学,天津,300130 2. 洛阳单晶硅厂,洛阳,471009 |
| 摘 要： | 对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法。 |
| 关 键 词： | ULSI 化学机械抛光 集成电路 二氧化硅 |
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