| 基片偏压对ta C薄膜结构和摩擦因数的影响 |
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| 引用本文： | 韩亮,张涛,刘德连,何亮.基片偏压对ta C薄膜结构和摩擦因数的影响[J].润滑与密封,2012(10). |
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| 作者姓名： | 韩亮 张涛 刘德连 何亮 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学技术物理学院 陕西西安710071
2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214035 |
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| 摘 要： | 利用磁过滤阴极电弧技术,通过改变基片负偏压(0~500 V)制备四面体非晶碳(ta C)薄膜,研究基片负偏压对ta C薄膜结构和摩擦因数的影响.研究表明,基片负偏压对ta C薄膜的sp3键含量有很大影响,当负偏压为200 V时,ta C薄膜的sp3键含量为85%.在0~200 V范围内随着基片偏压的增大,表面粗糙度逐渐减小,在负偏压为200 V时,薄膜表面粗糙度最小,为0.18 nm左右;当负偏压超过200 V后,由于薄膜中石墨相增多,薄膜表面粗糙度将增大.随着基片偏压的逐渐增大,由于薄膜表面粗糙度的减小和在摩擦中石墨相自润滑层的形成,薄膜的摩擦因数大大降低,耐磨性提高.
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| 关 键 词： | 四面体非晶碳薄膜 基片偏压 摩擦因数 |
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