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表面电荷对GaN基HEMT器件输运特性影响的研究

作者单位：	南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093

摘要：
关键词：	GaN基高电子迁移率晶体管表面电荷二维电子气击穿特性输出特性
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