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| 失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究 | |
| 作者姓名： | 邵国键 陈正廉 林罡 张茗川 王云燕 刘柱 陈韬 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响.结果 表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱,器件的最高结温越小.进一步测试器件内部左、中、右三个位置的最高结温分... |
| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管 失配 微光显微镜 红外测试 电致发光 最高结温分布 温升 |
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