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| 用光电灵敏度法研究a—Si：H中的电荷放大效应 | |
| 作者姓名： | 海宇涵 海灏 |
| 作者单位： | [1]中国科学院电子学研究所 [2]南开大学 |
| 摘 要： | 测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度，撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法，由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益，在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下，高达４．３×１０＾３、本文从能态图讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中电荷放大效应的产生过程。由测量的增产佃值计算了电子迁移率与寿命之积。 |
| 关 键 词： | 非晶硅 电荷放大效应 光电灵敏度法 |
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