极化效应对氮化镓型LED性能影响分析北大核心 |
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引用本文: | 张建亚,黄勇林,赵宇坤.极化效应对氮化镓型LED性能影响分析北大核心[J].光通信研究,2013(4):46-48. |
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作者姓名: | 张建亚 黄勇林 赵宇坤 |
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作者单位: | 1.南京邮电大学光电工程学院210046;2.西安交通大学电子与信息工程学院710049; |
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摘 要: | 对氮化镓(InGaN/GaN)型MQW(多量子阱)结构的蓝宝石衬底LED(发光二极管)受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。
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关 键 词: | 极化电荷 LED性能 能带结构 电子空穴浓度 |
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