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应用遗传算法提取GaAs场效应管小信号模型参数
引用本文:喻筱静,王家礼. 应用遗传算法提取GaAs场效应管小信号模型参数[J]. 半导体技术, 2004, 29(12): 35-37,44
作者姓名:喻筱静  王家礼
作者单位:西安电子科技大学,西安,710071;西安电子科技大学,西安,710071
摘    要:利用阻抗矩阵法求出GaAs场效应管的小信号等效电路S参数,并提出应用遗传算法提取等效电路模型参数.该法具有收敛快速、精确度高的特点,使各个模型参数均能得到较为精确快速的提取.

关 键 词:小信号等效电路模型  参数提取  遗传算法
文章编号:1003-353X(2004)12-0035-03

GaAs FET Small-Signal Model Extraction Using Genetic Algorithm
YU Xiao-jing,WANG Jia-li. GaAs FET Small-Signal Model Extraction Using Genetic Algorithm[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(12): 35-37,44
Authors:YU Xiao-jing  WANG Jia-li
Abstract:The impedance-matrix method is employed to calculate the scattering matrix ofmicrowave GaAs FET. And the GA(genetic algorithm) is used to optimize the small-signal equivalentcircuit parameters. This algorithm has the advantages of converging quickly and high accuracy,which can make every parameter in the model to be extracted accurately.
Keywords:small-signal equivalent circuit model  parameter extraction  genetic algorithm  
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