| 24～38GHz GaAs单片低噪声放大器的研制 |
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| 引用本文： | 张秀霞,王民娟.24～38GHz GaAs单片低噪声放大器的研制[J].中国电子科学研究院学报,2009,4(2). |
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| 作者姓名： | 张秀霞 王民娟 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 介绍了24～38 GHz低噪声放大器MMIC的研制.分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3 inGaAs工艺线进行工艺制作.采用电子束制作0.20 μm"T"形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的,I<,dss>和V<,p>,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3.8 dB,小信号增益大于13 dB,增益平坦度小于±0.6 dB,输入和输出驻波比小于2:1,微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相当.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 "T"形栅 电路仿真 单片微波集成电路 |
The Development of 24~38 GHz GaAs Low-Noise Amplifier MMIC |
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| ZHANG Xiu-xia,WANG Min-juan.The Development of 24~38 GHz GaAs Low-Noise Amplifier MMIC[J].Journal of China Academy of Electronics and Information Technology,2009,4(2). |
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| Authors: | ZHANG Xiu-xia WANG Min-juan |
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| Affiliation: | The 13th Research Institute of CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs |
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