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微波等离子体增强法合成氮杂二氧化钒
引用本文:陈金民,黄志良,刘羽,王升高. 微波等离子体增强法合成氮杂二氧化钒[J]. 钢铁钒钛, 2007, 28(2): 6-8,26
作者姓名:陈金民  黄志良  刘羽  王升高
作者单位:武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430074;武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430074;武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430074;武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430074
基金项目:湖北省自然科学基金 , 湖北省科技厅科技攻关项目
摘    要:选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了氮杂二氧化钒(VO2-xNy)样品.通过XRD表征了样品的成分,结果表明:合成的样品为氮杂二氧化钒,样品的结晶度较低,颗粒尺寸较小;相变温度测试结果表明:通过氮掺杂可以有效降低二氧化钒薄膜的相变温度,目前最低可以降低至42 ℃.

关 键 词:微波等离子体增强  氮杂VO2-xNy  薄膜  相变温度
文章编号:1004-7638(2007)02-0006-03
修稿时间:2006-09-30

Synthesizing VO2-xNy Thin Films by Microwave Plasma Enhanced Processes
Chen Jinmin,Huang Zhiliang,Liu Yu,Wang Shenggao. Synthesizing VO2-xNy Thin Films by Microwave Plasma Enhanced Processes[J]. Iron Steel Vanadium Titanium, 2007, 28(2): 6-8,26
Authors:Chen Jinmin  Huang Zhiliang  Liu Yu  Wang Shenggao
Affiliation:Hubei Province Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advance Materials, Wuhan Institute of Chemical Technology, Wuhan 430074, Hubei, China
Abstract:
Keywords:microwave plasma enhanced   nitrogen doped VO2-xNy   thin film   phase transition temperature
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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