| 退火工艺对射频磁控溅射Bi:YIG薄膜磁性能的影响 |
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| 引用本文： | 杨青慧,张怀武,刘颖力,文岐业.退火工艺对射频磁控溅射Bi:YIG薄膜磁性能的影响[J].材料研究学报,2008,22(2):187-190. |
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| 作者姓名： | 杨青慧 张怀武 刘颖力 文岐业 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基础杰出青年基金 |
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| 摘 要： | 对于用射频磁控溅射技术在Si基片上制备的Bi:YIG系薄膜,用快速循环退火方法对其进行晶化处理,研究了退火温度对Bi:YIG薄膜结晶状态和形貌的影响,以及退火气氛和循环周期对薄膜性能的影响.结果表明,用快速循环退火可以在si单晶基片上得到磁性能优良的薄膜(饱和磁化强度139 kA/m,矫顽力6.37 kA/m)并使薄膜形貌有较大改善,在石英基片上制备的薄膜法拉第角比常规退火的薄膜增大了约一倍.
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| 关 键 词： | 无机非金属材料 快速循环退火 Bi:YIG薄膜 饱和磁化强度 矫顽力 退火工艺 射频磁控溅射技术 薄膜形貌 磁性能 影响 magnetic properties annealing effect Si substrate RF magnetron sputtering 法拉第 石英基片 改善 矫顽力 磁化强度 单晶基片 快速循环退火 结果 薄膜性能 循环周期 |
| 文章编号： | 1005-3093(2008)02-0187-04 |
| 修稿时间： | 2007年3月12日 |
The effect of annealing to the magnetic properties of Bi:YIG film by RF magnetron sputtering on Si substrate |
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| YANG Qinghui,ZHANG Huaiwu,LIU Yingli,WEN Qiye.The effect of annealing to the magnetic properties of Bi:YIG film by RF magnetron sputtering on Si substrate[J].Chinese Journal of Materials Research,2008,22(2):187-190. |
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| Authors: | YANG Qinghui ZHANG Huaiwu LIU Yingli WEN Qiye |
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