| CdTe光敏薄膜的制备及性能研究 |
| |
| 引用本文： | 李燕,黄书万.CdTe光敏薄膜的制备及性能研究[J].真空电子技术,1997(6):19-22. |
| |
| 作者姓名： | 李燕 黄书万 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学 |
| |
| 摘 要： | 本文采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，得到在基片温度为１３０℃左右制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光敏特性，并得到ＣｄＴｅ材料的禁带宽度为１．６３ｅＶ。利用Ｘ衍射对不同基片温度下制备的ＣｄＴｅ薄膜材料进行了结构分析，发现基片温度为１３０℃左右制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的衍射峰。
|
| 关 键 词： | Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体，薄膜，光电导效应，硫属化合物 |
Preparation and Research on the Properties of GdTe Optical Sensitive Thin Films |
| |
| Li Yan, Huang Shuwan.Preparation and Research on the Properties of GdTe Optical Sensitive Thin Films[J].Vacuum Electronics,1997(6):19-22. |
| |
| Authors: | Li Yan Huang Shuwan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
