首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究
引用本文:张玉娣,张长瑞. CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究[J]. 材料科学与工程学报, 2004, 22(5): 657-659
作者姓名:张玉娣  张长瑞
作者单位:国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073;国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073
摘    要:采用化学气相渗透(CVI)与先驱体浸渍裂解(PIP)两种工艺方法联用制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较,复合材料的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析,结果表明:采用CVI-PIP联用的方法制备C/SiC复合材料,致密化程度有明显的提高.CVI沉积SiC基体结晶性较好,为典型的β-SiC晶体结构;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素.

关 键 词:化学气相渗透  先驱体浸渍裂解  C/SiC复合材料  显微结构
文章编号:1004-793X(2004)05-0657-03
修稿时间:2003-10-28

Preparing of Cf/SiC Composites by CVI-PIP and Research on Microstructure of Composites
ZHANG Yu-di,ZHANG Chang-rui. Preparing of Cf/SiC Composites by CVI-PIP and Research on Microstructure of Composites[J]. Journal of Materials Science and Engineering, 2004, 22(5): 657-659
Authors:ZHANG Yu-di  ZHANG Chang-rui
Abstract:
Keywords:chemical vapor infiltration  precursor infiltration and pyrolysis  C/SiC composite  microstructure
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号