CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构分析 |
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引用本文: | 陈玉峰,唐婕.CVD法制备SiC薄膜的气孔分布及显微结构分析[J].材料导报,2000(Z10):259-262. |
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作者姓名: | 陈玉峰 唐婕 |
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作者单位: | [1]高性能陶瓷及精细工艺实验室 [2]中国建筑材料科学研究院,北京 |
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摘 要: | 在较低温度下,采用CVD法制备出了β-SiC薄膜,薄膜的厚度随反应时间具有线性增加的关系。通过对在不同条件下制备样品的显微结构和气孔大小分布的分析,发现提高温度和增加反应时间不仅可以降低气孔含量,而且可以降低大气孔的数量,从而形成密实结构。因此认为,在低温条件下,SiC的生长机制是一处受化学反应速度控制的过程,其中包括过饱和、凝聚、融合等过程,大气孔主要是由于反应速度过慢而形成的。另外,随着反应时间的增加,CVD过程实际上变成了一个等温的CVI过程,SiC颗粒的扩散填充是造成薄膜中的大气孔减少的主要原因。
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关 键 词: | CVD 显微结构 气孔分布 生长机制 SiC薄膜 |
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