| GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究 |
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| 引用本文： | 罗向东,徐仲英,潘钟,李联合,林耀望,葛维琨. GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(1): 25-29 |
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| 作者姓名： | 罗向东 徐仲英 潘钟 李联合 林耀望 葛维琨 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室!北京，100083，中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室!北京，100083，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室!北京，100083，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室!北京，100083，中国科学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金! (编号 199740 45 )&& |
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| 摘 要： | 用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响
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| 关 键 词： | GaNAs 带阶 光荧光 |
OPTICAL PROPERTIES AND BAND LINEUP IN GaN_x As_( 1-x) /GaAs SINGLE QUANTUM WELLS |
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| LUO Xiang Dong XU Zhong Ying. OPTICAL PROPERTIES AND BAND LINEUP IN GaN_x As_( 1-x) /GaAs SINGLE QUANTUM WELLS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(1): 25-29 |
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| Authors: | LUO Xiang Dong XU Zhong Ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaNAs band offset PL. |
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