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| LY732—PMOSFET电场效应过程的计算机模拟 | |
| 引用本文： | 李惠军,马瑞芬.LY732—PMOSFET电场效应过程的计算机模拟[J].山东工业大学学报,1994,24(4):352-357. |
| 作者姓名： | 李惠军 马瑞芬 |
| 摘 要： | 本文分析及研究了对绝缘栅ＬＹ７３２－ＰＭＯＳ－ＦＥＴ结构所进行的工艺及器件模拟的数据，重点在栅源偏压与ＭＯＳ结构界面电荷分布的定量关系上得到了与实验一致的结果，定量地描述了在常规偏压条件下硅衬底表面电荷的分布及行为，从而揭示了Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ电场效应的微观过程。 |
| 关 键 词： | 阈值 计算机模拟 场效应过程 半导体器件 |
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