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厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺探讨
引用本文:吴荧. 厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺探讨[J]. 印制电路信息, 2007, 0(7): 29-31
作者姓名:吴荧
作者单位:上海旌纬微电子科技有限公司,上海,200240
摘    要:随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。

关 键 词:厚膜混合集成电路  孔金属化
文章编号:1009-0096(2007)07-0029-03

Technological Process of the Hole of Thick Film
Wu Ying. Technological Process of the Hole of Thick Film[J]. Printed Circuit Information, 2007, 0(7): 29-31
Authors:Wu Ying
Abstract:
Keywords:thick film mixing IC  metallization
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