| 一种新型RF MEMS 单刀双掷开关的设计与仿真 |
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| 引用本文： | 苟元潇 吴群 靳炉魁 陈鹏. 一种新型RF MEMS 单刀双掷开关的设计与仿真[J]. 微波学报, 2010, 26(Z1): 345-348 |
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| 作者姓名： | 苟元潇 吴群 靳炉魁 陈鹏 |
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| 作者单位： | (哈尔滨工业大学电子与信息工程学院，哈尔滨 150001 |
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| 摘 要： | 本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RF MEMS单刀双掷开关，利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明：驱动电压为22V，开关时间为22μs，在中心频率30GHz处，开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB，回波损耗为43dB，隔离度为29dB；而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB，回波损耗为19dB，隔离度为28dB，该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。
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| 关 键 词： | RF MEMS；单刀双掷开关；单驱动电压；插入损耗；回波损耗；隔离度 |
Design and Simulation of a Novel RF MEMS SP2T Switch |
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| GOU Yuan-xiao,WU Qun,JIN Lu-kui,CHEN Peng. Design and Simulation of a Novel RF MEMS SP2T Switch[J]. Journal of Microwaves, 2010, 26(Z1): 345-348 |
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| Authors: | GOU Yuan-xiao WU Qun JIN Lu-kui CHEN Peng |
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| Affiliation: | School of Electronic and Information Engineering Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China |
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| Keywords: | RF MEMS SP2T switch single actuation voltage insert loss return loss isolation |
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