| 杂质离子对Y_2O_3∶Eu~(3+)发光性能的影响 |
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| 引用本文： | 王静,苏锵,王淑彬.杂质离子对Y_2O_3∶Eu~(3+)发光性能的影响[J].功能材料,2002(5). |
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| 作者姓名： | 王静 苏锵 王淑彬 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室，中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室，中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理开放实验室 吉林长春130022，吉林长春130022中山大学化学与化工学院超快速激光国家重点实验室，广东广州510275， |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划资助项目 (G1 9980 61 31 2 )，国家自然科学基金资助项目 (2 9771 0 2 9) |
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| 摘 要： | 研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,A+ 0 .0 2 (A =Li、Na、K)和Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,B2 + 0 .0 2 (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性。余辉光谱数据表明 :杂质离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的荧光发射主峰 (611nm)一致 ,为经典Eu3+ 的5D0 7F2 电偶极跃迁 ;杂质离子的引入明显地延缓了Y2 O3∶Eu3+ 的余辉衰减 ,其中Y2 O3∶Eu3+ ,A+ (A =Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致 ,而Y2 O3∶Eu3+ 、B2 + (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg。热释光谱数据显示 ,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成 ,这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 的热释峰都位于 175℃左右 ,相应电子陷阱能级深度为 0 .966eV左右 ;而Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释峰由高到低分别位于 192℃ (Ca)、164℃ (Sr)、13 5℃ (Ba)、118℃(Mg) ,电子陷阱能级深度分别为 1.0 0 3eV(Ca)、0 .942eV(Sr)、0 .880eV(Ba)、0 .843eV(Mg)。结合余辉衰减数据 ,可以看到 ,Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 和Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好 ,由此可以得出 ,一定相同的条件下 ,热释峰值温度越高 ,杂
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| 关 键 词： | 碱金属和碱土金属离子 余辉 热释发光 Y2O3∶Eu3+ |
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