| 中短波HgCdTe金属接触的退火研究 |
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| 引用本文： | 李海滨,林春,胡晓宁,何力.中短波HgCdTe金属接触的退火研究[J].激光与红外,2011,41(5):542-547. |
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| 作者姓名： | 李海滨 林春 胡晓宁 何力 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院红外成像材料和器件重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海200083;中国科学院研究生院,北京100039
2. 中国科学院红外成像材料和器件重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海200083 |
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| 摘 要： | 为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响。对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量。对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触。对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属。因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 MS接触 退火 欧姆接触 |
Thermal annealing of HgCdTe and metal contact |
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| LI Hai-bin,LIN Chun,HU Xiao-ning,HE Li.Thermal annealing of HgCdTe and metal contact[J].Laser & Infrared,2011,41(5):542-547. |
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| Authors: | LI Hai-bin LIN Chun HU Xiao-ning HE Li |
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| Affiliation: | LI Hai-bin1,2,LIN Chun1,HU Xiao-ning1,HE Li1(1.Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China,2.Graduate School of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe MS contact annealing Ohmic contact |
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