(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂FET的微波特性——小信号参数的偏压关系

用网络分析仪测量了1μm栅(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂FET(MODFET)的微波特性。计算了等效电路参数,并与等同结构的GaAsMESFET相比较。比之MESFET,MODFET的电流增益和功率增益截止频率均较高(18和38GHz对14和30GHz),电路参数g_(mo),C_(gs)和R_(ds)呈现较陡的夹断效应。由于沟道中势阱展宽,MODFET中C_(gs)呈现栅偏压依赖关系。在发展MODFET电路模拟的计算机模型中将证明此资料是很有价值的。