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| 第六代1200V槽栅FS-IGBT模块 | |
| 引用本文： | 游雪兰[译],;吴郁[译],;张彦飞[译].第六代1200V槽栅FS-IGBT模块[J].变频器世界,2008(9):61-64. |
| 作者姓名： | 游雪兰[译] ;吴郁[译] ;张彦飞[译] |
| 作者单位： | 北京工业大学 |
| 摘 要： | 本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。 |
| 关 键 词： | IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值 |
The 6th Generation 1200V Trench Field-Stop IGB-F Modules |
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