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| Ge_2Sb_2Te_5相变薄膜的结构及结晶温度研究 | |
| 作者单位： | ;1.吉林化工学院材料科学与工程学院;2.吉林化工学院材料科学与工程研究中心;3.吉林化工学院 |
| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.(原位)XRD测试表明,室温下沉积的GST薄膜为非晶态,且在室温~375℃温度范围内,样品经历了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;通过原位XRD和DSC测试确定的GST薄膜的结晶温度一致,为~150℃. |
| 关 键 词： | 相变材料 Ge2Sb2Te5 结构 DSC 结晶温度 |
Study on Structure and Crystallization Temperature of Ge_2Sb_2Te_5 Phase-change Film |
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