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可在600℃的低温下生长硅的选择外延法

引用本文：	John Gosch ,汪卫东.可在600℃的低温下生长硅的选择外延法[J].微电子学,1982(5).

作者姓名：	John Gosch 汪卫东

摘要：	在低温下进行的碘汽相淀积,实际上消除了扩散效应。
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