| 193 nm浸没式光刻材料的研究进展 |
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| 引用本文： | 何鉴,高子奇,李冰,郑金红,穆启道.193 nm浸没式光刻材料的研究进展[J].半导体技术,2008,33(9). |
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| 作者姓名： | 何鉴 高子奇 李冰 郑金红 穆启道 |
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| 作者单位： | 北京科华微电子材料有限公司,北京,101312;北京科华微电子材料有限公司,北京,101312;北京科华微电子材料有限公司,北京,101312;北京科华微电子材料有限公司,北京,101312;北京科华微电子材料有限公司,北京,101312 |
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| 基金项目： | 国家重点攻关计划支持项目 |
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| 摘 要： | 介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战.在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述.并对顶部涂料存在的问题进行了阐述.对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望.
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| 关 键 词： | 193 nm浸没式光刻 浸没液体 顶部涂料 光刻胶 |
Research Progress of Materials for 193 nm Immersion Lithography |
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| He Jian,Gao Ziqi,LiBing,Zheng Jinhong,Mu Qidao.Research Progress of Materials for 193 nm Immersion Lithography[J].Semiconductor Technology,2008,33(9). |
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| Authors: | He Jian Gao Ziqi LiBing Zheng Jinhong Mu Qidao |
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