| 用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 |
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| 引用本文： | 王国雄,史峥,严晓浪,陈志锦,付萍.用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2002,36(6):634-637,684. |
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| 作者姓名： | 王国雄 史峥 严晓浪 陈志锦 付萍 |
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| 作者单位： | 浙江大学超大规模集成电路设计研究所，浙江大学超大规模集成电路设计研究所，浙江大学超大规模集成电路设计研究所，浙江大学超大规模集成电路设计研究所，华东地质学院信息工程系 浙江杭州310027，鞍山科技大学电子与信息工程学院，辽宁鞍山114002，浙江杭州310027，浙江杭州310027，浙江杭州310027，江西抚州344000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60176015). |
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| 摘 要： | 提出了用于光刻仿真的建模流程。用高斯滤波器与空间影像进行卷积，得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散，然后使用可变阈值光刻胶模型，以实际工艺数据拟合该模型参数，再把改进空间影像的相关信息作为输入，并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值为预测CD（critical dimension）变化，从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据。由于正确地表征了实际工艺的特征，模拟结果显示，多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正（optical proximity correction,OPC)仿真工具。
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| 关 键 词： | 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像 |
| 文章编号： | 1008-973X(2002)06-0634-04 |
Variable threshold resist models for fast OPC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lithography process simulation optical proximity correction(OPC) variable threshold resist model |
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