用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 |
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引用本文: | 王国雄,史峥,严晓浪,陈志锦,付萍. 用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型[J]. 浙江大学学报(工学版), 2002, 36(6): 634-637,684 |
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作者姓名: | 王国雄 史峥 严晓浪 陈志锦 付萍 |
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作者单位: | 浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江大学超大规模集成电路设计研究所,浙江大学超大规模集成电路设计研究所,华东地质学院信息工程系 浙江杭州310027,鞍山科技大学电子与信息工程学院,辽宁鞍山114002,浙江杭州310027,浙江杭州310027,浙江杭州310027,江西抚州344000 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(60176015). |
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摘 要: | 提出了用于光刻仿真的建模流程。用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值为预测CD(critical dimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据。由于正确地表征了实际工艺的特征,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(optical proximity correction,OPC)仿真工具。
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关 键 词: | 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像 |
文章编号: | 1008-973X(2002)06-0634-04 |
Variable threshold resist models for fast OPC |
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Abstract: | |
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Keywords: | lithography process simulation optical proximity correction(OPC) variable threshold resist model |
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