| 集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法 |
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| 引用本文： | 张海鹏,汪沁,孙玲玲,高明煜,李文钧,吕幼华,刘国华,汪洁,Zhang Haipeng,Wang Qin,Sun Lingling,Gao Mingyu,Li Wenjun,Lü Youhua,Liu Guohua,Wang Jie. 集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 279-282 |
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| 作者姓名： | 张海鹏 汪沁 孙玲玲 高明煜 李文钧 吕幼华 刘国华 汪洁 Zhang Haipeng Wang Qin Sun Lingling Gao Mingyu Li Wenjun Lü Youhua Liu Guohua Wang Jie |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018,浙江万里学院计算机科学与信息学院,宁波,315100,杭州电子科技大学电子信息学院IC CAD研究所,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
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| 关 键 词： | ESD SOI LIGBT/LDMOS 器件结构 工艺 PIC 集成 二极管 LIGBT LDMOS 器件结构 制作方法 Method Structure Device Diode 控制要求 因素 相关参数 工艺流程 设计理论 大信号等效电路 负载 阻性 图结构 截面结构 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0279-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-13 |
Device Structure and Fabricating Method for SOI LIGBT/LDMOS Integrated with Anti-ESD Diode |
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| Zhang Haipeng,Wang Qin,Sun Lingling,Gao Mingyu,Li Wenjun,Liu Guohua,Wang Jie. Device Structure and Fabricating Method for SOI LIGBT/LDMOS Integrated with Anti-ESD Diode[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 279-282 |
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| Authors: | Zhang Haipeng Wang Qin Sun Lingling Gao Mingyu Li Wenjun Liu Guohua Wang Jie |
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