| 根据红外透过率推断CdZnTe晶片的性能 |
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| 引用本文： | 李国强,介万奇,华慧.根据红外透过率推断CdZnTe晶片的性能[J].红外与毫米波学报,2003,22(6):469-472. |
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| 作者姓名： | 李国强 介万奇 华慧 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 5 9982 0 0 6)，国家杰出青年基金 (批准号 5 982 5 10 9)资助项目~~ |
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| 摘 要： | 采用傅里叶变换红外光谱仪测试了性能各异的多个CdZnTe晶片的红外透过率．研究表明，红外透过率的大小可以定性反映CdZnTe晶片的性能：红外透过率越高的晶片，其成分偏离越小，位错密度越低，电阻率越高．根据红外透过率大小随着波数的变化，红外透过率图谱可以分为4种，每一种图谱对应着具有不同性能的CdZnTe晶片，从晶片对红外光的吸收机理出发，对实验结果进行了初步分析。
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| 关 键 词： | 红外透过率 傅里叶变换红外光谱仪 碲锌镉晶体 位错密度 半导体材料 吸收率 晶体结构 |
| 收稿时间： | 2002/12/2 |
| 修稿时间： | 2002年12月2日 |
DEDUCING THE PROPERTIES OF CdZnTe WAFERS BY IR TRANSMISSION |
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| LI Guo-Qiang JIE Wan-Qi HUA Hui.DEDUCING THE PROPERTIES OF CdZnTe WAFERS BY IR TRANSMISSION[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2003,22(6):469-472. |
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| Authors: | LI Guo-Qiang JIE Wan-Qi HUA Hui |
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| Abstract: | Several Cd 0.9 Zn 0.1 Te wafers with different properties are characterized by FTIR transmission. It is found that the IR transmission can be used qualitatively to deduce the quality of the Cd 0.9 Zn 0.1 Te wafers. The wafers with higher transmission have homogenized concentration distribution, lower dislocation density, and higher resistivity. According to the variation of IR transmission with wavenumber, IR transmission spectra can be classified into four types with different qualities. These results are initially analyzed based on the mechanism of Cd 0.9 Zn 0.1 Te IR absorption. |
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| Keywords: | IR transmission absorption mechanism dislocation density resistivity CdZnTe |
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