注氧SOI上制作的CMOS器件的总剂量特性分析 |
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引用本文: | B.Y.Mao,杨功铭.注氧SOI上制作的CMOS器件的总剂量特性分析[J].微电子学,1988(1). |
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作者姓名: | B.Y.Mao 杨功铭 |
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作者单位: | 德克萨斯仪器公司 |
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摘 要: | 研究了用注入掩埋氧化物的绝缘体上的硅(SOI)作衬底、并经不同的注入后退火处理而制作的CMOS器件的总剂量特性。所测量到的正面沟道SOI/CMOS器件的阈值电压漂移、亚阈值电压斜率衰减和迁移率衰减情况,与采用相同办法制作的体器件的这些参数的变化情况是一样的。 只要不影响正沟道晶体管性能,加负衬偏可降低背面沟道的阈值电压漂移。在目前采用的工艺条件下,正沟道器件的辐照性能与注入氧后的退火温度无关。辐照时,在硅/隐埋氧化物界面上氧的沉积会促进背沟器件界面态的产生。
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